[发明专利]单层多晶硅可电除可程序只读存储单元的制造方法

摘要

一种耗尽型单层多晶硅可电除可程序只读存储单元的形成方法。此方法包括：提供具有一浮置区与一控制区的一基底，分别于该浮置区与该控制区的该基底中形成一隔离深阱区以及一深阱区。之后，于该隔离深阱区中，以及该隔离深阱区与该深阱区之间的该基底中，分别形成一阱区以及一隔离阱区。分别于该阱区以及该深阱区形成一耗尽掺杂区以及一存储单元注入区。于该基底上形成横跨该浮置区与该控制区的一浮置栅结构，其中该浮置栅结构分别裸露部分该耗尽掺杂区与部分该存储单元注入区。最后，进行一掺杂工艺以分别于裸露的部分耗尽掺杂区以及裸露的部分存储单元注入区中形成一源极/漏极区以及一重掺杂区。

主权项

1.一种耗尽型单层多晶硅可电除可程序只读存储单元的形成方法， 包括：提供基底，其中该基底具有浮置区与控制区；分别于该浮置区与该控制区的该基底中形成隔离深阱区以及深阱区；于该隔离深阱区中，以及该隔离深阱区与该深阱区之间的该基底中，分别形成阱区以及隔离阱区；分别于该阱区的该基底的表面以及该深阱区的该基底的表面形成耗尽掺杂区以及存储单元注入区；于该基底上形成横跨该浮置区与该控制区的浮置栅结构，其中该浮置栅结构分别裸露部分该耗尽掺杂区与部分该存储单元注入区，且该浮置栅结构包括一浮置栅、一栅间介电层与一穿遂介电层，而该栅间介电层位于该存储单元注入区与该浮置栅之间，该穿遂介电层位于该耗尽掺杂区与该浮置栅之间；以及进行掺杂工艺以分别于裸露的部分耗尽掺杂区以及裸露的部分存储单元注入区中形成源极/漏极区以及重掺杂区。