[发明专利]在半导体器件上提供一致临界尺寸的光掩模及其制造方法无效
| 申请号： | 200610092790.6 | 申请日： | 2006-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN1940718A | 公开（公告）日： | 2007-04-04 |
| 发明（设计）人： | 李东根;崔成云;全灿旭;金炳局 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G03F1/14 | 分类号： | G03F1/14;G03F7/00;H01L21/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 林宇清;谢丽娜 |
| 地址： | 韩国京畿道水*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种校正半导体晶片中的临界尺寸(CD)的非一致性的方法，包括测量透射过或者反射自光掩模的多个区域中的光掩模的0级光。改变光掩模以均衡来自光掩模的0级光，使得晶片CD是一致的。可以通过例如在光掩模的后侧上形成相位光栅或者通过将遮蔽单元引入光掩模以改变光掩模的透射，来改变光掩模。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 提供 一致 临界 尺寸 光掩模 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造光掩模的方法，包括：提供衬底，该衬底包括多个区域；使用辐射照射该衬底；对于多个区域的每一个，检测辐射与衬底的相互作用相关的光学特性；以及改变与在至少一个区域中的光学特性相关的光学参数。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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