[发明专利]基于镓氮/蓝宝石透明衬底发光二极管结构及制备方法无效
| 申请号： | 200610089399.0 | 申请日： | 2006-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN1885579A | 公开（公告）日： | 2006-12-27 |
| 发明（设计）人： | 郭霞;梁庭;郭晶;顾晓玲;林巧明;沈光地 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司 | 代理人： | 张慧 |
| 地址： | 100022*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种基于镓氮/蓝宝石透明衬底发光二极管结构及制备方法，该二极管包括有依次纵向层叠的n型欧姆接触电极(7)、n型载流子限制层(5)、有源区(4)、p型载流子限制层(3)：在p型载流子限制层(3)的下面依次包括隧道结结构(8)、键合层(9)、导电外延层(11)和透明衬底(12)；在导电外延层(11)的上面进一步设有导电外延层欧姆接触电极(10)。该制备方法包括外延生长、键合、衬底去掉、光刻，腐蚀和制备欧姆接触电极，合金等步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 蓝宝石 透明 衬底 发光二极管 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种基于镓氮/蓝宝石透明衬底发光二极管结构，包括有依次纵向层叠的n型欧姆接触电极(7)、n型载流子限制层(5)、有源区(4)、p型载流子限制层(3)：其特征在于：在所述的p型载流子限制层(3)的下面依次包括隧道结结构(8)、键合层(9)、导电外延层(11)、和透明衬底(12)；在位于上述键合层(9)底部的横向延伸部的导电外延层(11)的上面进一步设有导电外延层欧姆接触电极(10)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京工业大学，未经北京工业大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200610089399.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
