[发明专利]一种照明用氮化镓基发光二极管器件无效
| 申请号： | 200610088934.0 | 申请日： | 2006-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN101114681A | 公开（公告）日： | 2008-01-30 |
| 发明（设计）人： | 韩培德 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100083北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种照明用氮化镓基发光二极管器件，该二极管器件包括：蓝宝石衬底(1)；在蓝宝石衬底(1)上依次外延生长的n型GaN基化合物(4)和p型InGaN有源层(7)；采取干法刻蚀或湿法腐蚀的方法将p型InGaN有源层(7)局部去除，在露出的n型GaN基化合物(4)上制备的n型电极(8)；和在p型InGaN有源层(7)上制备的大面积p型透明电极(9)。利用本发明，可使电子－空穴复合发光区与整个耗尽层基本重合，从而提高了二极管的发光效率，增加了发光亮度；另一方面，将pn结制备工艺由升温改为降温，可有效地防止In组分的逃逸，从而大大提高pn结质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 照明 氮化 发光二极管 器件 | ||
【主权项】：
1.一种照明用氮化镓基发光二极管器件，其特征在于，该二极管器件包括：蓝宝石衬底(1)；在蓝宝石衬底(1)上依次外延生长的n型GaN基化合物(4)和p型InGaN有源层(7)；采取干法刻蚀或湿法腐蚀的方法将p型InGaN有源层(7)局部去除，在露出的n型GaN基化合物(4)上制备的n型电极(8)；和在剩余未刻蚀的p型InGaN有源层(7)上制备的大面积p型透明电极(9)。
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