[发明专利]形成用于离子注入的掩模图案的方法无效
| 申请号： | 200610080309.1 | 申请日： | 2006-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN1992170A | 公开（公告）日： | 2007-07-04 |
| 发明（设计）人： | 金珪圣 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/266 | 分类号： | H01L21/266;H01L21/335;H01L29/772;G03F7/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种形成用于离子注入的掩模图案的方法，所述方法包括：在半导体基底上形成栅极线图案；在所述栅极线图案上形成涂布膜；对于所述栅极线图案的顶部分实施等离子体处理；在所得的结构上形成光致抗蚀剂层；及图案化所述光致抗蚀剂层，以获得所述栅极线图案上的一个光致抗蚀剂图案，其中，所述涂布膜的界面张力低于所述光致抗蚀剂层的界面张力。一个用于离子注入的掩模图案能够使用根据本发明的方法获得，使得后续的离子注入工艺稳定地实施，以改进半导体元件的最终产量。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 用于 离子 注入 图案 方法 | ||
【主权项】：
1、一种形成用于离子注入的掩模图案的方法，包括：在半导体基底上形成栅极线图案；在所述栅极线图案上形成涂布膜；对于所述栅极线图案的顶部分实施等离子体处理；在所得的结构上形成光致抗蚀剂层；及图案化所述光致抗蚀剂层，以获得所述栅极线图案上的一个光致抗蚀剂图案，其中，所述涂布膜的界面张力低于所述光致抗蚀剂层的界面张力。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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