[发明专利]一种蓝宝石衬底上的发光二极管芯片的制作方法

摘要

本发明涉及一种蓝宝石衬底上的发光二极管芯片的制作方法，特别涉及一种在蓝宝石衬底上的发光二极管芯片的切割分离方法。本发明的重点在于利用外延层与蓝宝石衬底的晶格失配产生的应力场来控制切割劈裂方向；方法是通过干法刻蚀部分外延层，导致在沿表面方向应力场的变化，有效控制劈裂方向。此方法将提高发光二极管芯片在切割分离过程中的成品率。同时可以在维持成品率的基础上，减小切割道的尺寸。

主权项

1、一种在蓝宝石衬底上的发光二极管芯片的制造方法，包括以下步骤：(1)由蓝宝石做衬底，生长GaN外延层；在外延层上光刻形成二极管管芯图形，用干法刻蚀方法(ICP或RIE)，对GaN外延层进行刻蚀，形成P、N型独立结构；(2)依次进行光刻、金属镀膜(电子束蒸发、溅射或热蒸发)、剥离，制作N电极和P电极；(3)再进行退火，形成欧姆接触；(4)对外延片蓝宝石一侧进行研磨，并沿所设计的切割道在蓝宝石一侧进行划片处理；(5)再将步骤(4)得到的片子在裂片机上进行裂片分离，形成独立的发光二极管芯片；其特征是在步骤(1)过程中，在外延片上相邻芯片之间通过干法蚀刻产生切割通道，在该通道上面部分通过掩膜保护，在刻蚀产生切割通道的同时，形成切割辅助平台；切割辅助平台顶宽度＜切割道宽度＜80μm；所述切割辅助平台顶宽度为3-15μm；所述蚀刻深度为0.4-1.2μm；P型GaN层厚度0.4-0.9μm＜刻蚀深度；所述芯片的厚度为70-150μm。