[发明专利]非易失性存储器及其制造方法

摘要

本发明提供了一种非易失性存储器，具有下列构件：多个隔离结构平行设置于基底中，以定义出有源区，并往第一方向延伸；多个控制栅极平行设置于基底上，并往第二方向延伸，其中第二方向与第一方向交错；多个筒状浮置栅极设置于控制栅极下方，且位于相邻两隔离结构之间的有源区上，各浮置栅极具有凹陷部，其中各控制栅极填满各筒状浮置栅极的凹陷部，且覆盖各筒状浮置栅极外侧侧壁；穿隧介电层设置于各筒状浮置栅极与基底之间；栅间介电层设置于各控制栅极与各筒状浮置栅极之间。

主权项

1、一种非易失性存储器，包括：多个隔离结构，平行设置于基底中，以定义出有源区，并往第一方向延伸；多个控制栅极，平行设置于该基底上，并往第二方向延伸，该第二方向与该第一方向交错；多个筒状浮置栅极，设置于该些控制栅极下方，且位于相邻两隔离结构之间的该有源区上，各该些浮置栅极具有凹陷部，其中各该些控制栅极填满该些凹陷部，且覆盖各该些筒状浮置栅极外侧侧壁；穿隧介电层，设置于各该些筒状浮置栅极与该基底之间；以及栅间介电层，设置于各该些控制栅极与各该些筒状浮置栅极之间。