[发明专利]整合于半导体集成电路结构的变压器的制作方法有效
| 申请号： | 200610074355.0 | 申请日： | 2006-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN101060097A | 公开（公告）日： | 2007-10-24 |
| 发明（设计）人： | 洪建州;曾华洲;梁其翔;陈佑嘉;许村来 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/82 | 分类号： | H01L21/82;H01L21/02;H01L21/768;H01L27/00;H01F41/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一基底，于该基底上形成一最高金属内连线层与一主绕组层。随后于该基底上形成一绝缘层，且该绝缘层具有多个开口暴露出部分该最高金属内连线层。接下来，于该绝缘层上分别形成一副绕组层与至少一个金属焊垫，且该金属焊垫通过该些开口与该最高金属内连线层电连接。 | ||
| 搜索关键词： | 整合 半导体 集成电路 结构 变压器 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种整合于半导体集成电路结构的变压器的制作方法，包括以下步骤：提供基底；于该基底上同时形成最高金属内连线层与主绕组层；于该基底表面形成绝缘层，该绝缘层覆盖该主绕组层与该最高金属内连线层，且该绝缘层具有多个开口，暴露出部分该最高金属内连线层；以及于该绝缘层上同时形成副绕组层与至少一个金属焊垫，且该金属焊垫通过该些开口与该最高金属内连线层电连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
