[发明专利]用于改进临界尺寸计算中使用的光刻胶模型的校准的方法、程序产品以及设备有效
| 申请号： | 200610071189.9 | 申请日： | 2006-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN1869818A | 公开（公告）日： | 2006-11-29 |
| 发明（设计）人： | J·F·陈;G·伯格;T·科斯昆;S·帕克;T·陈 | 申请（专利权）人： | ASML蒙片工具有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;G06F17/00;H01L21/027 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张志醒 |
| 地址： | 荷兰维*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 公开了临界尺寸(CD)计算中使用的光刻胶模型的改进的校准方法。基于用以在晶片上形成光刻胶的光学工具来得到剂量函数。该剂量函数指示光刻胶中的能量数量。将该剂量函数与卷积核进行卷积来得到改进的剂量函数。该卷积核在不同方向上具有可变的扩散长度。该卷积核可以包括多个高斯核，每个高斯核在不同方向上具有可变的扩散长度。将该改进的剂量函数转换成与目标值进行比较的CD值。如果有必要，则基于比较结果来调整该高斯核的扩散长度。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 改进 临界 尺寸 计算 使用 光刻 模型 校准 方法 程序 产品 以及 设备 | ||
【主权项】：
1.一种用于校准在临界尺寸(CD)计算当中使用的光刻胶模型的方法，包括以下步骤：基于用以在晶片上形成光刻胶的光学工具，得到指示所述光刻胶中能量数量的剂量函数；以及将所述剂量函数与卷积核进行卷积以得到改进的剂量函数，所述卷积核在不同方向上具有可变的扩散长度。
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