[发明专利]磁性存储单元结构与磁性存储装置有效
| 申请号： | 200610059116.8 | 申请日： | 2006-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN101038784A | 公开（公告）日： | 2007-09-19 |
| 发明（设计）人： | 李元仁;洪建中;高明哲 | 申请（专利权）人： | 财团法人工业技术研究院 |
| 主分类号： | G11C11/15 | 分类号： | G11C11/15;G11C11/16 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种磁性存储单元结构适用于双态型模式存取操作的一磁性存储装置，包括一磁性固定迭层，做为一基层结构的一部份。一穿隧绝缘层位于该磁性固定迭层之上。一磁性自由迭层位于该穿隧绝缘层之上。一磁性偏压迭层，位于该磁性自由迭层之上。其中，磁性偏压迭层提供一偏压磁场给该磁性自由迭层，以使一双态操作区域更接近于一磁场零点。又，磁性偏压迭层所产生的磁场作用也包括缩小邻接于该双态操作区域的一直接区域。 | ||
| 搜索关键词： | 磁性 存储 单元 结构 装置 | ||
【主权项】：
1.一种磁性存储单元结构，适用于双态型模式存取操作的一磁性存储装置，该磁性存储单元结构包括：一磁性固定迭层，做为一基层结构的一部份；一穿隧绝缘层，位于该磁性固定迭层之上；一磁性自由迭层，位于该穿隧绝缘层之上，以及一磁性偏压迭层，位于该磁性自由迭层之上，其中，该磁性偏压迭层提供一偏压磁场给该磁性自由迭层，以使一双态操作区域更接近于一磁场零点。
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