[发明专利]一种提高芯片亮度的方法无效
| 申请号： | 200610030769.3 | 申请日： | 2006-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN101140962A | 公开（公告）日： | 2008-03-12 |
| 发明（设计）人： | 冯雅清;叶国光;梁伏波;朱思远;黄力伟 | 申请（专利权）人： | 上海蓝宝光电材料有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 上海申汇专利代理有限公司 | 代理人： | 翁若莹 |
| 地址： | 20161*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种提高芯片亮度的方法，倒装焊芯片的电极与硅热沉芯片贴合，其特征在于，将倒装焊芯片的出光表面——蓝宝石衬底和透明电极氧化铟锡的表面制作光子晶体结构，光子晶体结构有助于降低全反射，从而使得出光亮度提高，使得光取出效率提升50％－90％，在350毫安的电流驱动下可以得到比一般倒装焊芯片多出90％的亮度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 芯片 亮度 方法 | ||
【主权项】：
1.一种提高芯片亮度的方法，倒装焊芯片(8)的电极与硅热沉芯片(9)贴合，其特征在于，在倒装焊芯片(8)的蓝宝石衬底(10)的表面(11)上制作光子晶体，其方法为：(1)首先在倒装焊芯片(8)的蓝宝石衬底(10)的表面(11)上贴-层0.2微米-0.8微米厚的保护膜层；(2)然后在保护膜层上涂布光刻胶，用激光曝光机对光刻胶曝光；(3)在光刻胶的保护下通过电感偶合式反应离子刻蚀机刻蚀保护膜层，达到在蓝宝石衬底的表面形成光子晶体结构(13)，即圆柱形小岛的间距a为0.4微米-1.2微米，圆柱体的高b为0.2微米-0.8微米，圆柱体的直径c为0.2微米-1.0微米；或晶体结构(14)，即圆柱形洞的间距f为0.4微米-1.2微米，圆柱形洞的深度e为0.2微米-0.8微米，圆柱形洞的直径d为0.2微米-1.0微米。
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