[发明专利]取向控制生长L10－FePt的方法无效
| 申请号： | 200610028368.4 | 申请日： | 2006-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN1877704A | 公开（公告）日： | 2006-12-13 |
| 发明（设计）人： | 周仕明;刘尊;高铁仁 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | G11B5/84 | 分类号： | G11B5/84;G11B5/851;G11B5/852 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 | 代理人： | 陆飞;盛志范 |
| 地址： | 20043*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属磁记录技术领域，具体为一种定向控制生长L10－FePt的新方法。传统的方法制备L10－FePt有两个主要的困难，一是取向的控制，二是制备L10－FePt需要很高的温度。本发明首先在衬底上斜靶溅射缓冲层NiO(200)，再溅射缓冲层Ag，最后溅射缓冲层FePt，溅射生长FePt时衬底温度要升到350－600℃。缓冲层NiO(200)可以明显改善Ag(200)的取向，以及FePt(200)的取向，Ag(200)缓冲层可以有效降低FePt有序化温度。 | ||
| 搜索关键词： | 取向 控制 生长 l1 sub fept 方法 | ||
【主权项】：
1、一种取向生长L10-FePt的制备方法，其特征在于具体步骤如下：(1)首先在氩气环境下，采用斜靶射频真空溅射方法，在衬底上生长一缓冲层NiO(200)；(2)再在NiO(200)上溅射一缓冲层Ag；(3)然后，将衬底升温至350℃-600℃，采用直流溅射方式，生长FePt；(4)最后，进行退火处理。
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