[发明专利]集成电路及其制造方法有效
| 申请号： | 200610001233.9 | 申请日： | 2006-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN1822388A | 公开（公告）日： | 2006-08-23 |
| 发明（设计）人： | 杨海宁;朱慧珑 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L29/772 | 分类号： | H01L29/772;H01L27/092;H01L21/335;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 于静;李峥 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种集成电路及其制造方法，其中所述集成电路包括具有沟道区和邻近所述沟道区的源极和漏极区的场效应晶体管(FET)。提供位于所述沟道区下面的具有第一类型应力的第一应力区，其中所述第一类型应力为压缩型或拉伸型。提供位于所述源极和漏极区下面的具有第二类型应力的第二应力区，其中所述第二类型应力为与所述第一类型应力相反的压缩型或拉伸型中的一种。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种集成电路，包括：场效应晶体管(FET)，具有沟道区和邻近所述沟道区的源极和漏极区；第一应力区，具有第一类型应力，位于所述沟道区下面，所述第一类型应力为压缩型或拉伸型；以及第二应力区，具有第二类型应力，位于所述源极和漏极区下面，所述第二类型应力为与所述第一类型应力相反的压缩型或拉伸型中的一种。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于国际商业机器公司，未经国际商业机器公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200610001233.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：滑盖型移动通信终端的画面显示装置
- 下一篇：用于预防和治疗肝癌和肝病的营养药
- 同类专利
- 专利分类
