[发明专利]非易失性存储器有效
| 申请号： | 200580047649.8 | 申请日： | 2005-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN101223642A | 公开（公告）日： | 2008-07-16 |
| 发明（设计）人： | 汉斯·波依;卡伦·阿滕伯勒 | 申请（专利权）人： | NXP股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/24 | 分类号： | H01L27/24;H01L45/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 朱进桂 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 公开了一种非易失性存储器(50)。提供了第二电极(56)。也提供了第一电极(51)。在第一电极(51)和第二电极(56)之间提供了具有多个电阻可变的相变单元(54)的记录层。将非均匀隧穿势垒(540)设置为与记录层和第一电极中的每一个相邻。在使用时，第一电极与非均匀隧穿势垒电连通，第一电极经由非均匀隧穿势垒与第二电极电连通。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性存储器 | ||
【主权项】：
1.一种非易失性存储器(50)，包括：第二电极(56)；包括多个电阻可变的相变单元(54)的记录层；与记录层相邻的非均匀隧穿势垒(53)；以及与非均匀隧穿势垒电连通中的第一电极(51)，所述第一电极(51)经由隧穿势垒(53)与第二电极(56)电连通。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
