[发明专利]单晶的制造方法及退火晶片的制造方法无效
| 申请号： | 200580043234.3 | 申请日： | 2005-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN101080515A | 公开（公告）日： | 2007-11-28 |
| 发明（设计）人： | 星亮二;柳町隆弘 | 申请（专利权）人： | 信越半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/20 | 分类号： | C30B15/20;C30B33/02;C30B29/06 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 高龙鑫 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种单晶的制造方法，是通过切克劳斯基法在处理室内从相同的坩埚中的原料熔液4，提拉二根以上单晶3之多重牵引(multi－pulling)法，针对在从原料熔液4提拉单晶3之后，没有关闭加热器7的电源而将多晶原料追加投入残留的原料熔液4中，将其熔解之后，提拉下一根单晶3，重复这些步骤来进行二根以上单晶3的提拉之单晶的制造方法，其特征为：在将使单晶3的晶身部成长时的提拉速度V和固液界面附近的提拉轴方向的结晶温度梯度G的比，设为V/G的情况，为了要将各个提拉的单晶3的V/G控制成规定值，按照从开始操作算起的经过时间，在开始提拉单晶之前，事前修正上述提拉速度V等的提拉条件，来生长具有所希望的缺陷区域之单晶3。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 方法 退火 晶片 | ||
【主权项】：
1.一种单晶的制造方法，是通过切克劳斯基法在处理室内从相同的坩埚中的原料熔液，提拉二根以上的单晶的多重牵引法，从原料熔液提拉单晶之后，没有关闭加热器的电源而将多晶原料追加投入残留的原料熔液中，将其熔解之后，提拉下一根单晶，重复这些步骤来进行二根以上的单晶的提拉的单晶的制造方法，其特征在于，在将使单晶的晶身部成长时的提拉速度V和固液界面附近的提拉轴方向的结晶温度梯度G的比，设为V/G的情形时，为了要将各个提拉的单晶的V/G控制成规定值，根据从开始操作算起的经过时间，在开始提拉单晶之前，事前至少修正上述提拉速度V、导入上述处理室内的惰性气体的流量、上述处理室内的压力、及上述原料熔液的熔液面和隔热部件之间的距离之中的其中任一种以上的提拉条件，来生长具有所希望的缺陷区域的单晶，其中，所述隔热部件在上述处理室内对向配置在上述原料熔液面上。
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