[发明专利]用于改善半导体加工均匀性的传热系统

摘要

提供通过使用传热系统用于加工基片的等离子加工系统和方法。能够横跨基片表面产生高等级加工均匀性的传热系统包括均匀性支座，其支撑在传热构件上并且与之进行良好热接触。该均匀性支座包括提供共形的基片支撑表面(即接触表面)的销阵列，在加工过程中上述支撑表面能够共形于基片的背侧表面的轮廓。为了均匀冷却基片，在基片加工过程中在均匀性支座和传热构件之间能够建立大的热梯度。

主权项

1.一种适于支撑基片的传热系统，该基片用于半导体加工其上表面，包括：位于传热构件上并与之热接触的销底座，所述销底座具有上壁、下壁以及在上和下壁之间延伸并在它们之间限定腔的侧壁，其中所述上壁包括孔的阵列；基片支撑销的阵列，其每一个可滑动地定位在相应的一个孔中，每个基片支撑销与销底座热接触，并在其上远端包括接触尖端；以及加压气体源，其与所述腔流体连通，并且适于将加压气体以足以在向上方向上移动每个支撑销的量供应到所述腔。