[发明专利]基板处理装置及半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 200580029573.6 | 申请日： | 2005-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN101010447A | 公开（公告）日： | 2007-08-01 |
| 发明（设计）人： | 板谷秀治;野内英博;堀井贞义;佐野敦 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立国际电气 |
| 主分类号： | C23C16/455 | 分类号： | C23C16/455 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 | 代理人： | 陈伟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种基板处理装置，通过减小接触气体面积来抑制粒子的产生，通过减小流路容积提高净化效率。其具有用于对基板(2)进行处理的处理室(1)；被设置在处理室(1)侧面、将基板(2)相对于处理室(1)内搬入搬出的基板搬送口(10)；被可升降地设置在处理室(1)内、对基板(2)进行保持的保持机构；与保持机构相比被设置在上方，向处理室(1)内供给气体的供给口(3、4)；被设置在保持机构的周围、排出被供给到处理室内的气体的排气通道(35)；与在基板处理时的排气通道的上面相比被设置在下方，用于将由排气通道排出的气体向处理室外排出的排气口(5)，其中构成排气通道(35)的部件的至少一部分被构成为可以升降。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 装置 半导体 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基板处理装置，具有：用于对基板进行处理的处理室；被设置在上述处理室侧面上并将上述基板相对于处理室内搬入、搬出的基板搬送口；被可升降地设置在上述处理室内、对上述基板进行保持的保持机构；与上述保持机构相比被设置在上方、向上述处理室内供给气体的供给口；被设置在上述保持机构的周围、用于排出供给到上述处理室内的气体的排气通道；与基板处理时的上述排气通道的上面相比被设置在下方、用于将通过上述排气通道排出的气体向上述处理室外排出的排气口，其中，构成上述排气通道的部件的至少一部分被构成为可以升降。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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