[发明专利]连续生产熔点高于265℃的共聚酰胺的方法和装置有效
| 申请号： | 200580025650.0 | 申请日： | 2005-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN1993401A | 公开（公告）日： | 2007-07-04 |
| 发明（设计）人： | K·维尔特泽;G·摩根斯泰恩;P·劳斯曼 | 申请（专利权）人： | PE聚合物工程研究有限及两合公司 |
| 主分类号： | C08G69/26 | 分类号： | C08G69/26;C08G69/28;C08G69/36 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 刘明海 |
| 地址： | 德国鲁多尔施*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 连续制备熔点大于约265℃的共聚酰胺的方法，其中，以连续方法，于聚合物合成过程中，制备含有特定摩尔百分比的各成分的、以下化学体系的部分芳族和部分结晶聚酰胺：30至50摩尔％的衍生自对苯二酸的芳族二羧酸，30至50摩尔％的衍生自己二胺的脂族二胺，或者具有至少6C原子的脂环族二胺，和0.5－25摩尔％的芳族二胺或具有至少6到15个C原子的环状二胺，其中，所有构成聚合物的成分总和满足100摩尔％，并且胺和羧酸之间存在化学计量比。 | ||
| 搜索关键词： | 连续生产 熔点 高于 265 聚酰胺 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.连续制备熔点大于约265℃的共聚酰胺的方法，其中，以连续方法，于聚合物合成过程中，制备含有确定摩尔百分比的各成分的以下化学体系的部分芳族和部分结晶聚酰胺：25至50摩尔％的衍生自对苯二甲酸的芳族二羧酸，25至49.5摩尔％的衍生自己二胺的脂族二胺，或者具有至少6个C原子的脂环族二胺，和0.5-25摩尔％的芳族二胺或具有至少6个C原子的环状二胺，其中，构成聚合物的所有成分总和满足100摩尔％的组成，并且胺和羧酸之间存在化学计量比。
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