[发明专利]具有含铟盖层结构的Ⅲ族氮化物基量子阱发光器件结构无效
| 申请号： | 200580025327.3 | 申请日： | 2005-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN101006590A | 公开（公告）日： | 2007-07-25 |
| 发明（设计）人： | M·J·伯格曼;D·T·埃默森 | 申请（专利权）人： | 克里公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 刘红;梁永 |
| 地址： | 美国北卡*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供了Ⅲ族氮化物基发光器件和Ⅲ族氮化物基发光器件制作方法。该发光器件包括：n型Ⅲ族氮化物层、该n型Ⅲ族氮化物层上并包括至少一个量子阱结构的Ⅲ族氮化物基有源区、该有源区上包含铟的Ⅲ族氮化物层、该包含铟的Ⅲ族氮化物层上包含铝的p型Ⅲ族氮化物层、该n型Ⅲ族氮化物层上的第一接触、以及该p型Ⅲ族氮化物层上的第二接触。该包含铟的Ⅲ族氮化物层还包括铝。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 盖层 结构 氮化物 量子 发光 器件 | ||
【主权项】：
1.一种III族氮化物基发光器件，包括：n型III族氮化物层；该n型III族氮化物层上并包括至少一个量子阱结构的III族氮化物基有源区；该有源区上的包含铟的III族氮化物层；该包含铟的III族氮化物层上的包含铝的p型III族氮化物层；该n型III族氮化物层上的第一接触；以及该p型III族氮化物层上的第二接触。
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