[发明专利]存储器件，晶体管，存储单元，以及其制造方法有效
| 申请号： | 200580025205.4 | 申请日： | 2005-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN101288166A | 公开（公告）日： | 2008-10-15 |
| 发明（设计）人： | C·穆利 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H01L21/82 | 分类号： | H01L21/82;H01L27/06;H01L27/105 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 王允方;刘国伟 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 存储器件包括存储单元阵列和外围器件。独立存储单元中的至少一些包括包含SiC的碳化部分。至少一些外围器件不包括任何碳化部分。晶体管包括第一源/漏极，第二源/漏极，在第一和第二源/漏极之间的包括包含SiC的半导电衬底的碳化部分的沟道以及在操作上与该沟道的相对侧相关联的栅极。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 器件 晶体管 单元 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种存储器件，包含：半导电衬底；在衬底上方的存储单元阵列，独立存储单元中的至少一些包括包含SiC的半导电衬底的碳化部分；以及在衬底上方的包括存储单元寻址电路和存储单元读取电路的外围器件，至少一些外围器件不包括任何半导电衬底的碳化部分。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
