[发明专利]碲化汞镉的制造有效
| 申请号： | 200580018429.2 | 申请日： | 2005-04-05 |
| 公开（公告）号： | CN1965111A | 公开（公告）日： | 2007-05-16 |
| 发明（设计）人： | J·E·海尔斯;J·吉斯;J·W·凯恩斯;A·格拉哈姆;L·布克尔;D·J·哈尔;N·T·戈顿 | 申请（专利权）人： | 秦内蒂克有限公司 |
| 主分类号： | C30B25/02 | 分类号： | C30B25/02;C30B29/52;C30B23/02 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 刘锴;段晓玲 |
| 地址： | 英国*** | 国省代码： | 英国;GB |
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| 摘要： | 公开了一种制造碲化汞镉(CMT)的方法，方法包括通过分子束外延(MBE)在衬底上生长一个或多个缓冲层。随后通过金属有机气相外延(MOVPE)生长至少一个碲化汞镉Hg1－xCdxTe层，其中x在(0)和(1)之间，并包括(0)和(1)。使用MBE生长缓冲层允许一系列的衬底用于CMT生长。MBE缓冲层为后来的CMT的MOVPE生长提供了正确的取向，还防止了MOVPE过程中CMT的化学污染和衬底的侵蚀。方法还允许利用晶体CMT层和/或钝化层的进一步MOVPE生长来进行CMT层的器件加工。本发明还涉及通过方法形成的新器件。 | ||
| 搜索关键词： | 碲化汞镉 制造 | ||
【主权项】：
1.一种生长碲化汞镉Hg1-xCdxTe的方法，其中0≤x≤1，包括以下步骤：a)取一晶体衬底，b)通过分子束外延在所述衬底上生长至少一个缓冲层，和c)通过金属-有机气相外延在所述至少一个缓冲层上生长至少一个碲化汞镉层。
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