[发明专利]使用低压CMOS晶体管的高压开关无效

专利信息
申请号: 200580017259.6 申请日: 2005-05-18
公开(公告)号: CN1961480A 公开(公告)日: 2007-05-09
发明(设计)人: J·G·斯尼普 申请(专利权)人: 皇家飞利浦电子股份有限公司
主分类号: H03K17/0812 分类号: H03K17/0812
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 李亚非;陈景峻
地址: 荷兰艾*** 国省代码: 荷兰;NL
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摘要: 发明涉及一种电子开关,其轨到轨输入电压摆动能够超过实施开关的开关元件的某种工艺的电压额定值。例如开关元件可以是使用CMOS工艺的nMOS和pMOS晶体管的互补耦合对。使用两个分压器来将浮动电源电压从电源电压提供给开关元件。该浮动电源电压始终处于与输入电压无关的电源电压范围内,从而允许在开关的输入端子处的轨到轨电压,同时将浮动电源电压保持在该开关元件的临界击穿电压范围内。根据本发明的开关可以使用标准的CMOS工艺来形成,并且它能够被实施以在一直到至少50MHz的开关频率上起作用。根据本发明的开关元件能够被级联,从而与一个开关相比获得甚至更高的最大差动输入输出电压。
搜索关键词: 使用 低压 cmos 晶体管 高压 开关
【主权项】:
1.电开关,包括:电开关元件,其具有输入端子、以及第一和第二电源端子,从输入端子到地的第一分压器,以及从输入端子到电源电压线的第二分压器,其中第一和第二分压器的中点被连接到开关元件的第一和第二电源端子中相应的电源端子。
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