[发明专利]注入最优化方案无效
| 申请号： | 200580014824.3 | 申请日： | 2005-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN101427356A | 公开（公告）日： | 2009-05-06 |
| 发明（设计）人： | J·D·伯恩斯坦;L·S·罗伯逊;S·N·吉内姆;N·马哈林盖姆;B·G·莫泽 | 申请（专利权）人： | 德克萨斯仪器股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/76;H01L21/425 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 赵蓉民 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供在衬底中注入离子的方法，以及制造集成电路的方法。除了其他步骤，在衬底中注入离子的方法包括：将衬底(410)放在注入盘上(405)，以使衬底(410)的主轴(430)相对于所述注入盘(405)的径向偏移旋转大约30度到大约60度或者大约120度到大约150度，此外，其中所述衬底(410)未被倾斜。所述方法进一步包括，注入离子至衬底(410)中，所述主轴(430)的旋转位置减小了阴影效应或阴影遮蔽(shadowing)。 | ||
| 搜索关键词： | 注入 优化 方案 | ||
【主权项】：
1. 一种在衬底中注入离子的方法，包括：将衬底放置在注入盘上，以使所述衬底的主轴相对于所述注入盘的径向偏移旋转大约30度到大约60度，或者大约120度到大约150度，此外其中所述衬底未被倾斜；以及注入离子至所述衬底中，所述主轴的旋转位置减小了阴影效应。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
