[实用新型]柱状阴极复合离子镀膜设备无效
| 申请号： | 200520120710.4 | 申请日： | 2005-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN2846439Y | 公开（公告）日： | 2006-12-13 |
| 发明（设计）人： | 马胜歌;陈庆川 | 申请（专利权）人： | 深圳国家863计划材料表面工程技术研究开发中心 |
| 主分类号： | C23C14/22 | 分类号： | C23C14/22 |
| 代理公司： | 深圳市中知专利商标代理有限公司 | 代理人： | 孙皓;林虹 |
| 地址： | 525008广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种柱状阴极复合离子镀膜设备，要解决的技术问题是有效防止柱状电弧离子源与磁控溅射源之间的相互污染，并扩大镀膜室内的装炉量，本实用新型采用以下技术方案：一种柱状阴极复合离子镀膜设备，镀膜室体内设有柱状阴极和工件转架，所述镀膜室体侧面设有凸腔，凸腔内设置侧面柱状阴极，侧面柱状阴极朝向镀膜室体中央一侧设有活动挡板，本实用新型与现有技术相比，柱状阴极设置在镀膜室体侧面的凸腔内，侧面柱状阴极朝向镀膜室体中央一侧设有活动挡板，实现了各柱状阴极之间有效屏蔽，避免了各柱状阴极之间的相互污染，减小阴极所占的镀膜室体内的空间，扩大了装炉量，提高了生产率。 | ||
| 搜索关键词： | 柱状 阴极 复合 离子 镀膜 设备 | ||
【主权项】：
1.一种柱状阴极复合离子镀膜设备，镀膜室体内设有柱状阴极和工件转架，其特征在于：所述镀膜室体侧面设有凸腔，凸腔内设置侧面柱状阴极，侧面柱状阴极朝向镀膜室体中央一侧设有活动挡板。
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