[发明专利]纳米级高分辨应力测量方法无效
申请号: | 200510078721.5 | 申请日: | 2005-06-03 |
公开(公告)号: | CN1699979A | 公开(公告)日: | 2005-11-23 |
发明(设计)人: | 蔡端俊;徐富春;康俊勇 | 申请(专利权)人: | 厦门大学 |
主分类号: | G01N23/227 | 分类号: | G01N23/227;G01N1/34 |
代理公司: | 厦门南强之路专利事务所 | 代理人: | 陈永秀;马应森 |
地址: | 361005福*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | 纳米级高分辨应力测量方法,涉及一种应力测量方法,提供一种基于俄歇电子能谱仪,以电子作为测量的激发源,可获得高空间分辨的应力分布值的微区应力测量方法。其步骤为确定元素分析和零应力点,用俄歇能谱确定样品的化学元素成分和比例,并以样品的1个本质元素选择一个零应力点搜取其标准谱,作为应力零点标定;利用搜取的零应力点标准谱确定拟合参数得优化拟合理论俄歇谱;建立应力标定曲线后,根据确立的俄歇移动和应力的标定曲线得微区应力值。灵活性强,可根据样品需要建立特殊的模型进行计算,也可建立所有化合物元素的应力变化标定曲线的数据库。得到的空间分辨率和采用的俄歇电子能谱仪一致,可达到纳米量级。 | ||
搜索关键词: | 纳米 分辨 应力 测量方法 | ||
【主权项】:
1.纳米级高分辨应力测量方法,其特征在于其步骤为: 1)确定元素分析和零应力点,首先对测量的样品表面进行清洗,然后用俄歇能谱确定样品 的化学元素成分和比例,并以样品的1个本质元素,选择一个零应力点搜取其标准谱,作为 应力零点标定; 2)拟合理论俄歇能谱,首先建立和样品相同的化合物结构模型,采用第一性原理模拟计算 程序模拟计算,得到表面元素的电子态密度的数据,根据CVV理论俄歇谱表达成价电子态 密度卷积的函数,修正得以下的理论谱计算公式 ΓCVV(E)=appDp(E)Dp(E)+aspDs(E)Dp(E)+assDs(E)Ds(E),(1) 其中,Dp(E)Dp(E)、Ds(E)Dp(E)和Ds(E)Ds(E)为电子态密度的卷积值,它们的线 性组合构成了俄歇谱,app、asp、ass为三项对应的拟合系数,利用步骤1)中搜取的零应力 点的标准谱,确定三个拟合参数,得出优化拟合的理论俄歇谱; 3)建立应力标定曲线,计算不同应力下的模型,根据公式(1)和前面确定的优化拟合参数 app、asp、ass,计算不同应力应变下的理论俄歇谱,得出应力与俄歇谱峰相对位移之间的关 系,即应力标定曲线; 4)测量应力,采用能量精度为0.1~0.5eV的能量步长,对选定元素进行逐点搜谱,同时对 稳定单质杂质同步进行逐点搜谱,用来作表面的电荷积累的标定,以扣除电荷漂移带来的干 扰,对收集的能谱进行分析,扣除电荷漂移引起的能谱移动,得到单纯由微区应力引起的俄 歇物理移动,根据步骤3)中确立的俄歇移动和应力的标定曲线,得出微区应力值。
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