[发明专利]集成电路元件及其形成方法有效
| 申请号： | 200510064682.3 | 申请日： | 2005-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN1741274A | 公开（公告）日： | 2006-03-01 |
| 发明（设计）人： | 吴振诚;蔡宏骏;林大文;张文;郑双铭;梁孟松 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/088 | 分类号： | H01L27/088;H01L27/105;H01L29/78;H01L23/52;H01L21/8234;H01L21/336;H01L21/768;H01L21/314;H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 寿宁;张华辉 |
| 地址： | 台湾省新竹科学*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明是有关于一种集成电路元件及其形成方法，在基材上形成闸介电层和闸电极。接着沿着闸介电层和闸电极两侧形成一对间隙壁，间隙壁的较佳的基本组成材质为SiCO或SiCN。接着形成源极和汲极。在源极/汲极及间隙壁区域形成接触窗蚀刻阻绝层(CES)，CES层较佳的基本组成材质为SiCO或SiCN。接着形成层间介电层(ILD)在CES层上。此外，此种具有低k值的SiCO和SiCN材料可在较高的沉积速率及较低的沉积温度下进行沉积。使用含SiCO和SiCN的材料的MOS元件特性，不管是在外缘电容、接触电阻、片电阻、起始电压和遗漏电流等方面，和过去习知工艺相比较均有获得改善。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 元件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1、一集成电路元件，其特征在于其包含：一基材有一表面；一闸介电层位于该基材表面上；一闸电极位于在该闸介电层上；一对间隙壁位于沿着该闸电极及该闸介电层的两侧；一对源极/汲极区域位于该闸电极的相反两侧；一接触窗蚀刻阻绝层位于该源极/汲极区及该间隙壁上，其中该接触窗蚀刻阻绝层的材料是选自由氧碳化硅(SiCO)和氮碳化硅(SiCN)所组成的族群；一金属层间介电质层位于该接触窗蚀刻阻绝层上方；以及一传导插塞位于该金属层间介电质层上方。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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