[发明专利]偏置电路、固态成像装置及其制造方法无效
| 申请号： | 200510053008.5 | 申请日： | 2005-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN1665033A | 公开（公告）日： | 2005-09-07 |
| 发明（设计）人： | 柳政澔;南丁铉;卢宰燮 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/148 | 分类号： | H01L27/148;H01L21/822;H04N5/335 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 吕晓章;马莹 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种用于电荷耦合器件(CCD)的偏置电路，包括：一个或多个晶体管和一个非易失性存储单元，它们串联连接在第一电势节点和第二电势节点之间，并且被配置为在所述非易失性存储器和所述一个或多个晶体管之一之间的一个节点上产生偏压。所述一个或多个晶体管可以包括：在所述非易失性存储单元的第一端和所述第一电势节点之间串联耦合的一个或多个晶体管；在所述非易失性存储单元的第二端和所述第二电势节点之间串联耦合的一个或多个晶体管。所述非易失性存储单元可以包括快闪存储单元，例如叠层栅型快闪存储单元和/或分割栅型快闪存储单元。 | ||
| 搜索关键词： | 偏置 电路 固态 成像 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于电荷耦合器件的偏置电路，所述偏置电路包括：一个或多个晶体管和一个非易失性存储单元，它们串联连接在第一电势节点和第二电势节点之间，并且被配置为在所述非易失性存储器和所述一个或多个晶体管之一之间的一个节点上产生偏压。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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