[发明专利]P型差分式电场微传感器无效
| 申请号： | 200510040658.6 | 申请日： | 2005-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN1710431A | 公开（公告）日： | 2005-12-21 |
| 发明（设计）人： | 黄庆安;王立峰;秦明;茅盘松 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | G01R29/12 | 分类号： | G01R29/12 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 | 代理人： | 陆志斌 |
| 地址： | 21009*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | N型差分式电场微传感器，由p沟道电场传感器、p沟道耗尽型金属氧化物半导体管、N型金属氧化物半导体管电流镜及P型金属氧化物半导体管组成，N型金属氧化物半导体管电流镜由2个N型金属氧化物半导体管组成，2个N型金属氧化物半导体管的源极相连并接地，其栅极互连并与一个N型金属氧化物半导体管的漏极连接且与p沟道电场传感器的漏极连接，另一N型金属氧化物半导体管的漏极与p沟道耗尽型金属氧化物半导体管的漏极连接且该节点作为输出端，p沟道电场传感器的源极与p沟道耗尽型金属氧化物半导体管的源极连接并与P型金属氧化物半导体管的漏极连接，P型金属氧化物半导体管的源极与电源相连，P型金属氧化物半导体管的栅极接偏置电压。 | ||
| 搜索关键词： | 分式 电场 传感器 | ||
【主权项】：
1、一种用于电场测试的N型差分式电场微传感器，其特征在于由p沟道电场传感器(EPMOS1)、p沟道耗尽型金属氧化物半导体管(EPMOS’2)、N型金属氧化物半导体管电流镜及P型金属氧化物半导体管(PMOS5)组成，N型金属氧化物半导体管电流镜由2个N型金属氧化物半导体管(NMOS3、NMOS4)组成，2个N型金属氧化物半导体管(NMOS3、NMOS4)的源极相连并接地(Vss)，其栅极互连并与其中一个N型金属氧化物半导体管(NMOS3)的漏极连接且该N型金属氧化物半导体管(NMOS3)的漏极与p沟道电场传感器(EPMOS1)的漏极连接，上述另一个N型金属氧化物半导体管(NMOS4)的漏极与p沟道耗尽型金属氧化物半导体管(EPMOS’2)的漏极连接且该节点作为输出端(Vout)，p沟道电场传感器(EPMOS1)的源极与p沟道耗尽型金属氧化物半导体管(EPMOS’2)的源极连接并与P型金属氧化物半导体管(PMOS5)的漏极连接，P型金属氧化物半导体管(PMOS5)的源极与电源(Vdd)相连接，P型金属氧化物半导体管(PMOS5)的栅极接偏置电压(Vb)。
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