[发明专利]铁电畴阵列结构及其制备方法，及具有该结构的铁电膜有效
| 申请号： | 200510037511.1 | 申请日： | 2005-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN1937274A | 公开（公告）日： | 2007-03-28 |
| 发明（设计）人： | 段文晖;吴忠庆;吴健;顾秉林 | 申请（专利权）人： | 清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | H01L41/187 | 分类号： | H01L41/187;H01L41/24;C04B35/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100084*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种铁电畴阵列结构，其包括：多个铁电畴结构，该多个铁电畴结构具有纳米级直径，且以三角密排方式排布于一铁电超薄膜内。本发明还提供该铁电畴阵列结构的制备方法，其通过向一铁电超薄膜施加一垂直于其表面的预定大小的电场，在该预定大小的外加电场的极化作用下，铁电超薄膜内的铁电畴可自组织生成一铁电畴阵列结构。该铁电畴阵列结构的制作工艺简单，且该铁电畴阵列结构中的铁电畴结构具有纳米级直径。另外，本发明还提供具有上述铁电畴阵列结构的铁电膜。 | ||
| 搜索关键词： | 铁电畴 阵列 结构 及其 制备 方法 具有 铁电膜 | ||
【主权项】：
1.一种铁电畴阵列结构，其包括：多个铁电畴结构，该多个铁电畴结构具有纳米级直径，且以三角密排方式排布于一铁电超薄膜内。
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