[发明专利]硅薄膜太阳电池集成组件及其制备技术

摘要

本发明涉及一种硅薄膜太阳电池集成组件，它的结构和制备技术，特别是具有氧化锌(ZnO)背反射电极的硅薄膜太阳电池集成组件及其制备技术。而ZnO背反射电极是硅薄膜太阳电池陷光结构的重要组成部分，可大幅提高电池效率。它涉及硅薄膜太阳电池集成组件的关键工艺——子电池内联集成技术，属于新型能源中薄膜太阳电池的技术领域。本发明采用掩膜蒸镀金属电极，结合湿法腐蚀ZnO的方法，实现具有ZnO背反射电极的硅薄膜太阳电池子电池的内联集成技术，最终获得硅薄膜太阳电池集成组件。该方法简单、成品率高、成本低，有利展示硅薄膜太阳电池低成本的优势。是一个结构设计思想巧妙的制备技术。

主权项

1.一种硅薄膜太阳电池集成组件，其特征在于：外形是长方薄板形的，玻璃衬底(1)上是透明导电薄膜(2)，透明导电薄膜上是硅薄膜电池(4)，硅薄膜电池上是金属电极(7)。