[发明专利]砷化镓基增强/耗尽型膺配高电子迁移率晶体管材料无效
| 申请号： | 200510011893.0 | 申请日： | 2005-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN1877855A | 公开（公告）日： | 2006-12-13 |
| 发明（设计）人： | 李海鸥;尹军舰;和致经;张海英;叶甜春 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/15 | 分类号： | H01L29/15 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100029*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种砷化镓基增强/耗尽型膺配高电子迁移率晶体管材料，其采用铟镓磷/铝镓砷/铟镓砷材料结构，在半绝缘砷化镓衬底材料上，生长超晶格层作为缓冲层，然后在超晶格层上顺序生长：铝镓砷层、铟镓砷层、铝镓砷层、平面掺杂层、铝镓砷层、铟镓磷层、砷化镓层；其中，第九层砷化镓外延层作为帽层，第八层铟镓磷外延层作为耗尽型的势垒层，第七层铝镓砷外延层作为增强型的势垒层，第四层铟镓砷作为沟道层。本发明设计的材料结构制作出了具有良好性能的增强/耗尽型膺配高电子迁移率晶体管器件，具有工艺重复性好、可靠性强的特点，在微波、毫米波化合物半导体器件制作和直接耦合场效应管逻辑电路中具有非常明显的实际应用价值。 | ||
| 搜索关键词： | 砷化镓基 增强 耗尽 型膺配高 电子 迁移率 晶体管 材料 | ||
【主权项】：
1、一种砷化镓基增强/耗尽型膺配高电子迁移率晶体管材料，其特征在于，采用铟镓磷/铝镓砷/铟镓砷材料结构，在半绝缘砷化镓衬底材料上，生长超晶格层作为缓冲层，然后在超晶格层上顺序生长：铝镓砷层、铟镓砷层、铝镓砷层、平面掺杂层、铝镓砷层、铟镓磷层、砷化镓层；其中，第九层砷化镓外延层作为帽层，第八层铟镓磷外延层作为耗尽型的势垒层，第七层铝镓砷外延层作为增强型的势垒层，第四层铟镓砷作为沟道层。
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