[发明专利]大尺寸无孔洞缺陷的TiAl基合金锭的熔铸方法无效

专利信息
申请号: 200510010246.8 申请日: 2005-08-05
公开(公告)号: CN1718323A 公开(公告)日: 2006-01-11
发明(设计)人: 苏彦庆;郭景杰;丁宏升;吴士平;贾均;傅恒志 申请(专利权)人: 哈尔滨工业大学
主分类号: B22D21/00 分类号: B22D21/00;B22D7/02
代理公司: 哈尔滨市松花江专利商标事务所 代理人: 岳泉清
地址: 150001黑龙江*** 国省代码: 黑龙江;23
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摘要: 大尺寸无孔洞缺陷的TiAl基合金锭的熔铸方法,它涉及一种TiAl基合金锭的熔铸方法。本发明解决了现有的TiAl基合金熔炼方法中,采用直接浇铸材料利用率低;采用ISM熔铸技术难以得到大尺寸铸锭;采用VAR熔铸技术,铸锭成分不均匀,无法精确控制低熔点元素的挥发损失量问题。它由以下两个步骤完成:a.采用ISM熔铸技术熔铸TiAl基合金自耗电极;b.采用VAR熔炼技术重熔TiAl基合金电极制备TiAl基合金铸锭;ISM熔铸技术熔铸TiAl基合金自耗电极的方法由以下步骤完成:a′.TiAl基合金原料的熔化;b′.TiAl基合金电极的镶铸。利用该方法可熔铸出成分均匀一致的大尺寸的TiAl基合金铸锭。
搜索关键词: 尺寸 孔洞 缺陷 tial 金锭 熔铸 方法
【主权项】:
1、一种大尺寸无孔洞缺陷的TiAl基合金锭的熔铸方法,它由以下两个步骤完成:a、采用水冷铜坩埚(2)真空感应凝壳熔炼技术熔炼TiAl基合金自耗电极;b、采用真空自耗电极电弧熔炼技术重熔TiAl基合金电极制备TiAl基合金铸锭;其特征在于所述的水冷铜坩埚(2)真空感应凝壳熔炼技术熔铸TiAl基合金自耗电极由以下步骤完成:a′、TiAl基合金原料的熔化:将海绵钛(3)放到水冷铜坩埚(2)内摆放好,海绵钛(3)的上端距水冷铜坩埚(2)的顶端留有1/4~1/3的空间,再将下层铝块(6)、中间合金(5)、上层铝块(4)按从下到上的顺序埋放在海绵钛(3)内的中部,将容纳水冷铜坩埚(2)的真空室抽真空至0.01~1Pa,充氩气至500~1200Pa,再抽真空至0.01~1Pa,如此反复三次,始终将水冷铜坩埚(2)内的真空度保持在0.01~1Pa之间,之后接通水冷铜坩埚(2)电源,将水冷铜坩埚(2)内的合金原料熔化,电源频率控制在5~7kHz之间,电源功率控制在150~350kW之间,电源功率以≤0.5kW/s的速率增加,保温5~10min,再将电源功率降低至200~300kW,保温3~5min;b′、TiAl基合金电极的浇注:在电极头(1)下方的外表面上浇注TiAl基合金熔体,每次浇注的长度(L)为15~35cm,浇注温度为1550~1650℃,保证每炉熔体成分差<0.2%,浇注后的TiAl基合金电极锭(7)在真空室中冷却至300℃以下,向真空室中充空气,取出TiAl基合金电极锭(7),如此反复,直至所需要的电极长度。
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