[实用新型]多功能硅压阻复合传感器无效
申请号: | 200420120116.0 | 申请日: | 2004-12-24 |
公开(公告)号: | CN2767983Y | 公开(公告)日: | 2006-03-29 |
发明(设计)人: | 郑永辉;陈信琦;唐慧;孙海玮;刘辉;史云肖;孙烈鹏 | 申请(专利权)人: | 中国石油天然气集团公司;中国石油兰州炼油化工总厂;沈阳仪表科学研究院 |
主分类号: | G01L13/06 | 分类号: | G01L13/06;G01L1/18;G01K7/24 |
代理公司: | 北京市中实友知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 张茵 |
地址: | 10072*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 一种多功能硅压阻复合传感器主要由硅敏感芯片、双抛玻璃、导压管、基座组成,其特征在于硅敏感芯片7是指在双面抛光的N型硅单晶片的正面注入硼形成P型差压敏感电桥1、静压敏感电桥2,并在两电桥联接处置有温度敏感元件3,硅敏感芯片的差压敏感电桥1能感受到传感器两端的压差,而静压敏感电桥2只能感受到正压端的压力。多功能硅压阻复合传感器是研发高精度、智能化压力变送器的核心技术与基础部件。通过多功能传感器同时测量差压、静压和温度并通过微处理器对静压和温度影响进行补正,实现对压力或差压测量的高精度、高稳定性。 | ||
搜索关键词: | 多功能 硅压阻 复合 传感器 | ||
【主权项】:
1、一种多功能硅压阻复合传感器主要由硅敏感芯片、双抛玻璃、导压管、基座组成,其特征在于硅敏感芯片(7)是指在双面抛光的N型硅单晶片的正面注入硼形成P型差压敏感电桥(1)、静压敏感电桥(2),并在两电桥联接处置有温度敏感元件(3),在硅单晶片的背面与正面两个惠斯登电桥相对应的位置区域形成两个深浅不一的∏形凹槽,使得两位置的晶片厚度不等,即形成两个膜片厚度不等的差压敏感膜片(4)和静压敏感膜片(5);将该芯片与双抛玻璃相接、双抛玻璃与导压管相接,再由基座封装固定,即形成多功能硅压阻复合传感器。
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