[实用新型]二极管激光阵列三明治封装结构无效
申请号: | 200420092969.8 | 申请日: | 2004-09-24 |
公开(公告)号: | CN2759021Y | 公开(公告)日: | 2006-02-15 |
发明(设计)人: | 李强;王克俊;郭渭荣 | 申请(专利权)人: | 北京工业大学 |
主分类号: | H01S5/022 | 分类号: | H01S5/022;H01S5/02;H01S5/00 |
代理公司: | 北京思海天达知识产权代理有限公司 | 代理人: | 张慧 |
地址: | 100101*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 二极管激光阵列三明治封装结构属于二极管激光阵列的封装技术领域。第一层为负电极(1),第二层为CD金刚石(2),第三层过渡层(5),第一层、二层之间,第二、三层之间用InSn焊料焊接在一起,第四层为芯片(6),第三、四层之间为In焊料,第五层为过渡层(5),第四、五层之间通过In焊料焊接在一起,第六层为CD金刚石,第七层为微通道铜热沉和正电极(3),第五、六层,第六、七层通过InSn焊料焊接在一起,绝缘层(4)位于第一层和第七层之间,第二到第六层的后面,绝缘层和第一层和第七层之间均通过InSn焊料焊接在一起。本实用新型既实现了器件的低热阻、低欧姆接触和高速冷却,又明显减小了阵列的smile效应。 | ||
搜索关键词: | 二极管 激光 阵列 三明治 封装 结构 | ||
【主权项】:
1、一种二极管激光阵列三明治封装结构,其特征在于从上到下它由下面各层组成:第一层为负电极(1),第二层为CD金刚石(2),第一层和第二层之间通过InSn焊料焊接在一起,第三层过渡层(5),第二层和第三层之间也用InSn焊料焊接在一起,第四层为芯片(6),第三层和第四层之间为In焊料,第五层为过渡层(5),第四层和第五层之间通过In焊料焊接在一起,第六层为CD金刚石(2),第五层和第六层通过InSn焊料焊接在一起,第七层为微通道铜热沉和正电极(3),第六层和第七层通过InSn焊料焊接在一起,绝缘层(4)位于第一层和第七层之间,第二到第六层的后面,绝缘层(4)和第一层和第七层之间均通过InSn焊料焊接在一起。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京工业大学,未经北京工业大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200420092969.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。