[发明专利]形成碳纳米管发射器的方法和利用该方法制造场致发射显示器的方法无效
| 申请号： | 200410104769.4 | 申请日： | 2004-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN1624850A | 公开（公告）日： | 2005-06-08 |
| 发明（设计）人： | 李亢雨;朴相铉 | 申请（专利权）人： | 三星SDI株式会社 |
| 主分类号： | H01J9/02 | 分类号： | H01J9/02;G03F7/004;G03F7/32 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 张平元;赵仁临 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供一种形成碳纳米管发射器的方法。该方法包括在其上具有电极的衬底上涂覆光致抗蚀剂之后形成图案以在电极上形成光致抗蚀剂点；在衬底上涂覆碳纳米管糊以覆盖住光致抗蚀剂点；通过光致抗蚀剂点和经过烘干了的碳纳米管糊之间的相互扩散，在电极上形成碳纳米管发射器；以及移走覆盖住碳纳米管发射器的碳纳米管糊。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 纳米 发射器 方法 利用 制造 发射 显示器 | ||
【主权项】：
1.一种形成碳纳米管发射器的方法，该法包括：在其上具有电极的衬底上涂覆光致抗蚀剂之后形成图案以在电极上形成光致抗蚀剂点；在衬底上涂覆碳纳米管糊以覆盖住光致抗蚀剂点；通过光致抗蚀剂点和经过烘干了的碳纳米管糊之间的相互扩散在电极上形成碳纳米管发射器；以及移走覆盖住碳纳米管发射器的碳纳米管糊。
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