[发明专利]硫属化合物随机存取内存及其制造方法有效
| 申请号： | 200410097103.0 | 申请日： | 2004-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN1787249A | 公开（公告）日： | 2006-06-14 |
| 发明（设计）人： | 薛铭祥;陈士弘 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;G11C11/56;G11C13/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王学强 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种硫属化合物随机存取内存的制造方法是先提供已有下电极的基底，再于基底上依序形成硫属化合物层及相对于上述下电极的图案化掩模，再利用图案化掩模，对硫属化合物层进行离子注入制程，使部分硫属化合物层转变成改质区，并确保图案化掩模底下的硫属化合物层没有被掺杂物质注入，而使其成为未改质区，其中改质区的传导率低于未改质区的传导率。然后，去除图案化掩模，再在未改质区上形成上电极。因为利用如离子注入制程的改质处理，故可缩小硫属化合物层与下电极间的接触面积，进而降低硫属化合物随机存取内存的操作电压。 | ||
| 搜索关键词： | 化合物 随机存取 内存 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种硫属化合物随机存取内存，其特征在于：包括：基底；第一介电层，设置在基底表面；下电极，位于第一介电层中；上电极，位于第一介电层上；第二介电层，介于第一介电层与上电极之间；硫属化合物区块，介于上电极与下电极之间的第二介电层内，其中硫属化合物区块包括：未改质区，未改质区与下电极接触的面积小于与上电极接触的面积；以及改质区，环绕未改质区，且改质区的传导率低于未改质区的传导率。
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