[发明专利]SONOS存储器及其制造和操作方法无效
| 申请号： | 200410095200.6 | 申请日： | 2004-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN1607668A | 公开（公告）日： | 2005-04-20 |
| 发明（设计）人： | 金汶庆;金桢雨;李兆远;李殷洪;蔡熙顺 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/10 | 分类号： | H01L27/10;H01L27/108;H01L21/8239;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种SONOS存储器，包括：具有源区和漏区以及沟道区的半导体层，和在半导体层上的上部堆叠结构，其与半导体层一起形成上部SONOS存储器。在半导体层下的下部堆叠结构与半导体层一起形成下部SONOS存储器。还提供一种制造和操作SONOS存储器的方法。可以不按照窄设计规则而制造出具有高封装密度的SONOS存储器。 | ||
| 搜索关键词： | sonos 存储器 及其 制造 操作方法 | ||
【主权项】：
1.一种SONOS存储器，包括：包括源区和漏区以及沟道区的半导体层；在所述半导体层上形成的上部堆叠结构，从而与该半导体层一起形成上部SONOS存储器；和在所述半导体层之下形成的下部堆叠结构，从而与该半导体层一起形成下部SONOS存储器。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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