[发明专利]场致发射装置、采用该装置的显示器及制造该装置的方法无效
| 申请号： | 200410092634.0 | 申请日： | 2004-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN1627469A | 公开（公告）日： | 2005-06-15 |
| 发明（设计）人： | 崔浚熙;安德烈·朱尔卡尼夫 | 申请（专利权）人： | 三星SDI株式会社 |
| 主分类号： | H01J29/46 | 分类号： | H01J29/46;H01J1/30;H01J31/12;H01J9/02 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供了一种具有改进电子束聚焦效应的场致发射装置、一种采用该场致发射装置的显示器以及一种制造该场致发射装置的方法。该场致发射装置包括：一玻璃衬底，一形成在该玻璃衬底上的发射电极，一形成在该发射电极上的碳纳米管(CNT)发射器，一形成在该CNT发射器周围的栅叠层，该栅叠层从该CNT发射器处汲取电子束并将所汲取的电子束聚焦到一给定位置。该栅叠层包括：一掩模层，其覆盖设置在该CNT发射器周围的发射电极；一栅绝缘层和一栅电极，它们顺序形成在该掩模层上；一在栅电极上的聚焦栅绝缘层，其具有两个面对CNT发射器的倾斜面；以及一聚焦栅电极，其涂覆在该聚焦栅绝缘层上。 | ||
| 搜索关键词： | 发射 装置 采用 显示器 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种场致发射装置，其具有一玻璃衬底、一形成在该玻璃衬底上的发射电极、一形成在该发射电极上的碳纳米管(CNT)发射器、以及一形成在该CNT发射器周围的栅叠层，该栅叠层从该CNT发射器汲取电子束并将所汲取的电子束聚焦到一给定位置，其中该栅叠层包括：一掩模层，其覆盖设置在该CNT发射器周围的发射电极；顺序形成在该掩模层上的一栅绝缘层和一栅电极；一在该栅电极上的聚焦栅绝缘层，其具有面对CNT发射器的两个倾斜面；以及一聚焦栅电极，其涂覆在该聚焦栅绝缘层上。
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