[发明专利]半导体器件及制造该半导体器件的方法有效

专利信息
申请号: 200410085187.6 申请日: 2004-09-30
公开(公告)号: CN1697148A 公开(公告)日: 2005-11-16
发明(设计)人: 爱场喜孝;野本隆司 申请(专利权)人: 富士通株式会社
主分类号: H01L21/56 分类号: H01L21/56;H01L21/60;H01L23/52
代理公司: 隆天国际知识产权代理有限公司 代理人: 郑特强;经志强
地址: 日本神*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提供半导体器件及制造该半导体器件的方法。该半导体器件包括:半导体芯片;形成在半导体芯片上的布线层;在第一端处连接到布线层的柱状电极和形成在半导体芯片上的封装树脂。在该半导体器件中,柱状电极具有与第一端相对、从封装树脂突出的第二端,外部连接部件在第二端处连接到柱状电极,使得外部连接部件与封装树脂的表面分离。
搜索关键词: 半导体器件 制造 方法
【主权项】:
1.一种半导体器件,包括:一半导体芯片;形成在该半导体芯片上的布线层;一柱状电极,在第一端处连接到该布线层;形成在该半导体芯片上的封装树脂;其中,该柱状电极具有与该第一端相对的、从该封装树脂突出的第二端,一外部连接部件在该第二端处连接到该柱状电极,使得该外部连接部件与该封装树脂的表面分离。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于富士通株式会社,未经富士通株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200410085187.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top