[发明专利]倒装芯片接合方法和用于柱型凸起的衬底分层金属架构无效
申请号: | 200410080366.0 | 申请日: | 2004-09-29 |
公开(公告)号: | CN1622304A | 公开(公告)日: | 2005-06-01 |
发明(设计)人: | 具滋郁;金亨燦 | 申请(专利权)人: | 具滋郁;金亨燦 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;H01L23/48;H01L25/00 |
代理公司: | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 葛强;方挺 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 公开了一种通过在芯片或衬底上形成凸起意增强芯片和衬底的接合性能的倒装芯片接合方法及用于相同目的的衬底分层架构。该方法包括:对具有芯片的晶片进行预处理,切割晶片,并获得经过预处理的单个芯片;对一衬底进行预处理;使经过预处理的芯片的焊盘与经过预处理的衬底的焊盘对准,并利用夹持装置施加超声波和热同时施加压力以使芯片和衬底接合;及执行后处理以进行接合后的树脂填充或浇铸。芯片或衬底分别形成有被镀凸起、柱型凸起或楔形凸起。可在被镀凸起上附加形成柱型凸起或楔形凸起。凸起可由Au、Ni、Ag或Cu制成。衬底的凸起与芯片的凸起大小相同,或衬底的凸起和芯片的凸起中的一个比它们中的另一个更大。衬底镀有Au、Ag、Cu或Sn。 | ||
搜索关键词: | 倒装 芯片 接合 方法 用于 凸起 衬底 分层 金属 架构 | ||
【主权项】:
1.一种倒装芯片接合方法,用于在将带有焊盘的芯片接合在带有引线焊盘的衬底上的半导体封装过程中增强接合性能,所述方法包括以下步骤:对具有芯片的晶片进行预处理,对所述晶片进行切割,并获得经过预处理的单个芯片;对衬底进行预处理;使经过预处理的所述芯片的焊盘与经过预处理的所述衬底的焊盘对准,通过使用夹持装置施加超声波和热,并同时施加压力,使所述芯片和所述衬底接合在一起;以及执行后处理以进行接合后的树脂填充或浇铸。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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