[发明专利]倒装芯片接合方法和用于柱型凸起的衬底分层金属架构无效

专利信息
申请号: 200410080366.0 申请日: 2004-09-29
公开(公告)号: CN1622304A 公开(公告)日: 2005-06-01
发明(设计)人: 具滋郁;金亨燦 申请(专利权)人: 具滋郁;金亨燦
主分类号: H01L21/60 分类号: H01L21/60;H01L23/48;H01L25/00
代理公司: 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 代理人: 葛强;方挺
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 公开了一种通过在芯片或衬底上形成凸起意增强芯片和衬底的接合性能的倒装芯片接合方法及用于相同目的的衬底分层架构。该方法包括:对具有芯片的晶片进行预处理,切割晶片,并获得经过预处理的单个芯片;对一衬底进行预处理;使经过预处理的芯片的焊盘与经过预处理的衬底的焊盘对准,并利用夹持装置施加超声波和热同时施加压力以使芯片和衬底接合;及执行后处理以进行接合后的树脂填充或浇铸。芯片或衬底分别形成有被镀凸起、柱型凸起或楔形凸起。可在被镀凸起上附加形成柱型凸起或楔形凸起。凸起可由Au、Ni、Ag或Cu制成。衬底的凸起与芯片的凸起大小相同,或衬底的凸起和芯片的凸起中的一个比它们中的另一个更大。衬底镀有Au、Ag、Cu或Sn。
搜索关键词: 倒装 芯片 接合 方法 用于 凸起 衬底 分层 金属 架构
【主权项】:
1.一种倒装芯片接合方法,用于在将带有焊盘的芯片接合在带有引线焊盘的衬底上的半导体封装过程中增强接合性能,所述方法包括以下步骤:对具有芯片的晶片进行预处理,对所述晶片进行切割,并获得经过预处理的单个芯片;对衬底进行预处理;使经过预处理的所述芯片的焊盘与经过预处理的所述衬底的焊盘对准,通过使用夹持装置施加超声波和热,并同时施加压力,使所述芯片和所述衬底接合在一起;以及执行后处理以进行接合后的树脂填充或浇铸。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于具滋郁;金亨燦,未经具滋郁;金亨燦许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200410080366.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top