[发明专利]评估半导体器件的方法有效
| 申请号： | 200410076676.5 | 申请日： | 2004-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN1580798A | 公开（公告）日： | 2005-02-16 |
| 发明（设计）人： | 本田达也;浅野悦子 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26;G01R19/00;H01L21/66 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 吴立明;梁永 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的目的是提供一种评估包括半导体、绝缘体和导体的半导体器件的方法。本发明具有向导体施加电压以测量电流值的第一步骤，将电流值除以其中半导体与导体交迭的区域面积来计算电流密度Jg的第二步骤，和通过使用具有半径r的倒数和电流密度Jg的公式Jg＝2A/r+B(A和B分别是常数)的系数，来计算耗尽层边缘泄漏电流和面内泄漏电流的第三步骤。可选择的，本发明具有第一步骤、第二步骤和另一使用具有半导体沟道宽度W的倒数与沟道长度L的倒数及电流密度Jg的公式Jg＝A/W+B/L+C(A、B与C分别为常数)的系数，来计算耗尽层边缘泄漏电流、面内泄漏电流和硅边缘泄漏电流的第三步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 评估 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
1、一种评估半导体器件的方法，该半导体器件包含半导体、绝缘体和导体的叠层，包括：向半径为r的导体施加电压以测量栅极泄漏电流；将栅极泄漏电流除以其中半导体与导体交迭的区域面积来计算电流密度Jg；使用公式Jg＝2A/r+B(A和B分别是常数)的系数来计算耗尽层边缘泄漏电流和面内泄漏电流；和通过使用公式Jg＝2A/r+B(A和B分别是常数)的系数来计算耗尽层边缘泄漏电流和面内泄漏电流。
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