[发明专利]碳纳米管结构及制造方法,采用其的场发射器和显示装置无效
| 申请号： | 200410074935.0 | 申请日： | 2004-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN1590291A | 公开（公告）日： | 2005-03-09 |
| 发明（设计）人： | 金夏辰;韩仁泽 | 申请（专利权）人： | 三星SDI株式会社 |
| 主分类号： | C01B31/02 | 分类号： | C01B31/02;B82B1/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 封新琴;巫肖南 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种碳纳米管(CNT)结构，一种制造碳纳米管结构的方法，以及采用该碳纳米管结构的场发射器和显示装置。制造CNTs的方法包括在形成有催化剂材料层的基底上生长第一CNTs，以及由在第一CNTs表面上的催化剂材料、在第一CNTs的表面上生长第二CNTs。在第一CNTs的侧壁上生长的第二CNTs在低电压下发射电子。此外，由于将第二CNTs用作电子发射源，所提供的CNT结构获得高电子发射电流。而且，由于第一CNTs的均匀直径，该CNT结构获得均匀的场发射。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 结构 制造 方法 采用 发射器 显示装置 | ||
【主权项】：
1.一种包括基底和大量CNTs的碳纳米管(CNT)结构，该CNT包括：多个垂直于基底生长的第一CNTs；以及多个生长在第一CNTs侧壁上的第二CNTs。
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