[发明专利]微型薄膜温差电池的制造方法有效
| 申请号： | 200410072381.0 | 申请日： | 2004-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN1601778A | 公开（公告）日： | 2005-03-30 |
| 发明（设计）人： | 王为;贾法龙 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | H01L35/34 | 分类号： | H01L35/34;H01L35/32 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 | 代理人： | 王丽 |
| 地址： | 300072天津*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明是一种微型薄膜温差电池的制造方法，包括以下步骤：1)P型温差电单体基片的制造和N型温差电单体基片的制造；2)P型温差电单体基片导电层的制造和N型温差电单体基片导电层的制造；3)P型温差电单体基片与N型温差电单体基片的对接；4)电池的封装。通过把N型和P型温差电单体分别制造在不同的基片上形成温差电单体基片，使连接P型和N型温差电单体的导电层的制造，在基片与温差电单体不剥离的条件下就可以进行。由于N型温差电单体基片和P型温差电单体基片分开独立制造，使得采用较厚的感光胶成为可能。由于采用较厚的感光胶形成N型和P型微区，使得制造出的温差电单体的厚度也相应增加，最终制造出的微型薄膜温差电池的性能也大幅度提高。 | ||
| 搜索关键词： | 微型 薄膜 温差 电池 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种微型薄膜温差电池的制造方法，包括以下步骤：1)P型温差电单体基片的制造和N型温差电单体基片的制造；2)P型温差电单体基片导电层的制造和N型温差电单体基片导电层的制造；3)已制造出导电层的P型温差电单体基片与N型温差电单体基片的对接；4)电池的封装。
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