[发明专利]非易失性半导体存储装置、电子卡及电子装置

摘要

本发明提供一种非易失性半导体存储装置，能减小配置传输晶体管的区域面积。与配置成块BK的存储器单元连接的字线WL0～15与传输晶体管Q0～15的杂质区域41连接。在Q0～15的杂质区域43中，连接有向字线WL0～15供给电压的驱动线DL0～15。为了向与字线WL3连接的存储器单元写入数据，对字线WL3施加20V电压，对两相邻字线WL1、5施加0V电压。在字线WL3的传输晶体管Q3的两侧及对面不配置字线WL1、5的传输晶体管Q1、5。据此，就可以防止相邻的传输晶体管之间的电位差增大。

主权项

1、一种非易失性半导体存储装置，其特征在于：包括：把多个能电改写数据的非易失性的存储器单元配置成阵列状并且分割成多个块的存储器单元阵列；分别配置在所述多个块上并且分别与同一行的存储器单元共同连接的多条字线；与所述多条字线对应而设置并且向对应的字线供给电压的多条驱动线；和作为在所述多条字线和所述多条驱动线中连接对应的字线和驱动线的开关的多个传输晶体管；当把所述多条字线分成任意决定的任意字线、分别位于所述任意字线的两侧的字线的相邻位置上的两相邻字线、所述任意字线和所述两相邻字线以外的剩余字线时，在所述多个传输晶体管中，在所述任意字线的传输晶体管的两侧及对面配置有所述剩余的字线的传输晶体管。