[发明专利]半导体器件的制造方法

摘要

通过使处于电容膜的下部的硅化钨层再结晶化来使耐压提高。在将多晶硅膜2和硅化钨膜3A作为下部电极使用的电容元件的作成中，通过在对作为电容膜使用的氧化硅膜6进行成膜前进行使用了RTA装置的加热处理，使硅化钨膜3A再结晶化。由此，可防止氧化硅膜6与硅化钨膜3A的接触成为不均匀的状态，可大幅度地提高电容膜的耐压，可增加电容元件能蓄积的电荷量，可将电容元件应用于高耐压的半导体器件。

主权项

1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，该方法具有下述工序：层叠第1多晶硅膜、硅化钨膜和氧化硅膜的工序；以上述氧化硅膜作为硬掩摸，通过对上述第1多晶硅膜和硅化钨膜进行构图形成下部电极的工序；在上述下部电极上的氧化硅膜中形成了开口部后，在上述下部电极上形成电容膜的工序；在上述电容膜上使第2多晶硅膜成膜后，通过进行上述第2多晶硅膜的构图形成上部电极的工序；以及在使上述电容膜成膜前，通过进行加热处理使硅化钨膜的一部分再结晶化的工序。