[发明专利]计算机模拟光刻工艺的参数拟合方法无效
申请号: | 200410054346.6 | 申请日: | 2004-09-08 |
公开(公告)号: | CN1746878A | 公开(公告)日: | 2006-03-15 |
发明(设计)人: | 张晓平 | 申请(专利权)人: | 上海先进半导体制造有限公司 |
主分类号: | G06F17/00 | 分类号: | G06F17/00;G03F7/20 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人: | 陈亮 |
地址: | 20023*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种计算机模拟光刻工艺的参数拟合方法,包括如下步骤:计算并拟合能量阀值的模拟参数,包括使用Dill模型进行感光过程模拟;继续使用Dill模型进行曝光过程模拟;使用Mack模型进行湿法显影的过程模拟;进行PEB物理扩散过程模拟;评估参数并在需要时调整参数重新计算直至参数调节完毕。计算并拟合对比度曲线,包括使用Dill模型进行感光过程模拟;继续使用Dill模型进行曝光过程模拟;使用Mack模型进行湿法显影的过程模拟;评估曲线并在需要时调整参数重新计算直至参数调节完毕。本发明的计算机模拟光刻工艺的参数拟合方法能够将多种不同模型的参数加以拟合,以达到计算机模拟光刻工艺的最佳效果。 | ||
搜索关键词: | 计算机 模拟 光刻 工艺 参数 拟合 方法 | ||
【主权项】:
1.一种计算机模拟光刻工艺的参数拟合方法,包括如下步骤:计算并拟合能量阀值的模拟参数:a.输入感光胶感光前的吸收系数A、感光胶感光后的吸收系数B和光敏量子效率系数Cj的初始值,使用Dill模型进行感光过程模拟;b.输入曝光参数Eo,继续使用Dill模型进行曝光过程模拟;c.输入Mth、Rmin、Rmax和n参数的值,使用Mack模型进行湿法显影的过程模拟;d.输入光敏剂光照后浓度参数M和光敏剂扩散系数D,进行PEB物理扩散过程模拟;e.评估所述参数,如需要再次拟合参数的话使用公式Cj=Cj-1*(1+ΔE/Eo*0.618)计算新的参数Cj并重复上述的步骤a-d直至参数调节完毕;计算并拟合对比度曲线:f.输入感光胶感光前的吸收系数A、感光胶感光后的吸收系数B和光敏量子效率系数Cj的初始值,使用Dill模型进行感光过程模拟;g.输入曝光参数Eo,继续使用Dill模型进行曝光过程模拟;h.输入Mth、Rmin、Rmax和n参数的值,使用Mack模型进行湿法显影的过程模拟;i.评估所述曲线,如需要再次拟合曲线的话使用新的参数Mth并重复上述的步骤f-h直至曲线调节完毕。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海先进半导体制造有限公司,未经上海先进半导体制造有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200410054346.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种橡胶隔震支座的制造模具
- 下一篇:氯丁橡胶共混物及其制备方法