[发明专利]用于提高电子器件中电子发射的阳极氧化工艺无效
| 申请号： | 200410045276.8 | 申请日： | 2004-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN1591738A | 公开（公告）日： | 2005-03-09 |
| 发明（设计）人： | H·－P·郭;X·盛;H·比雷基;S·－T·林;S·L·纳伯惠斯 | 申请（专利权）人： | 惠普开发有限公司 |
| 主分类号： | H01J9/02 | 分类号： | H01J9/02;H01L21/00;C25D11/02 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 吴立明;梁永 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 提出了一种用于在半导电或导电表面(114)的中心区域中形成孔的方法。此方法包括在衬底(112)上形成半导电或导电表面(114)。此半导电或导电表面(114)的形成确保了当在半导电或导电表面(114)上施加电场时，表面中心区域的电场强度至少与表面的周界上的电场强度一样大。最后，此方法包括通过在半导电或导电表面(114)上产生电场来对半导电或导电表面(114)进行阳极氧化，以在半导电或导电表面(114)内形成多孔区。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 提高 电子器件 电子 发射 阳极 氧化 工艺 | ||
【主权项】：
1.一种用于在半导电或导电表面(114)的中心区域(117)内形成孔的制作方法，包括步骤：在衬底(112)上形成半导电或导电表面(114)，以便确保当在半导电或导电表面(114)上施加电场时，表面的中心区域(117)处的电场强度至少与表面的周界处的电场强度一样大；以及通过在半导电或导电表面(114)产生电场而对半导电或导电表面(114)进行阳极氧化，以在半导电或导电表面(114)内形成多孔区域(128)。
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