[发明专利]磁电复合薄膜及其制备方法无效
| 申请号： | 200410041727.0 | 申请日： | 2004-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN1597612A | 公开（公告）日： | 2005-03-23 |
| 发明（设计）人： | 万建国;刘俊明;曾敏;王广厚 | 申请（专利权）人： | 南京大学 |
| 主分类号： | C04B35/49 | 分类号： | C04B35/49;C04B35/491;C04B35/26;C04B35/624;H01F1/34 |
| 代理公司： | 南京知识律师事务所 | 代理人： | 栗仲平 |
| 地址： | 210093*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 磁电复合薄膜由锆钛酸铅铁电基体和均匀分布于其中的铁酸钴磁性颗粒所构成，其中铁酸钴颗粒在复合薄膜中的体积含量在20％～80％之间。该复合薄膜具有良好的铁电性和铁磁性，并具有磁电效应。铁酸钴颗粒在复合薄膜中的优化比例在40％～60％之间。在制备复合薄膜时，可通过在衬底上交替旋涂不同层数的锆钛酸铅和铁酸钴凝胶薄膜，以得到上述不同的铁酸钴体积含量；在高温退火处理过程中，由于锆钛酸铅铁电体层和铁酸钴层相互渗透并自发聚集，复合薄膜将形成连续的锆钛酸铅铁电基体相和均匀分布于其中的铁酸钴颗粒磁性体相。复合薄膜随铁酸钴体积含量的不同，可以表现出不同的磁电效应。本发明还提供了制备这种磁电复合薄膜的具体方法。 | ||
| 搜索关键词： | 磁电 复合 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种磁电复合薄膜，其特征在于：该复合薄膜由锆钛酸铅铁电基体和均匀分布于其中的铁酸钴磁性颗粒所构成，其中铁酸钴在复合薄膜中的体积含量在20％～80％之间。
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