[发明专利]非易失浮栅存储单元及其阵列以及其形成方法

摘要

双向读取/编程非易失存储单元和阵列能实现高密度。每个存储单元具有两个隔开的浮栅，用于在其上存储电荷。该单元具有隔开的源/漏区，其间具有沟道，该沟道具有三个部分。其中一个浮栅位于第一部分上；另一浮栅位于第二部分上，栅电极控制第一和第二部分之间的第三部分中的沟道的导电。控制栅被连接到源/漏区的每一个上，并且还容性耦合到浮栅。该单元通过热沟道电子注入而编程，并通过电子从浮栅到栅电极的Fowler－Nordheim遂穿来擦除。双向读取允许该单元被编程以存储位，其中每个浮栅中有一个位。

主权项

1、一种用于存储多个位的非易失存储单元，包括：第一导电类型的基本上单晶半导体材料；在所述材料中的第二导电类型的第一区，该第二导电类型不同于所述第一导电类型；与所述第一区隔开的、在所述材料中的所述第二导电类型的第二区；具有第一部分、第二部分和第三部分的沟道区，连接所述第一区和第二区用于传导电荷；在所述沟道区上的电介质；在所述电介质上的第一浮栅，它与所述沟道区的所述第一部分隔开；所述沟道区的所述第一部分与所述第一区相邻，所述第一浮栅用于存储所述多个位的中至少一个位；在所述电介质上的第二浮栅，它与所述沟道区的所述第二部分隔开；所述沟道区的所述第二部分与所述第二区相邻，所述第二浮栅用于存储所述多个位中的至少另一个位；在所述电介质上并与所述沟道区的所述第三部分隔开的栅电极，所述沟道区的所述第三部分位于所述第一部分和所述第二部分之间；电连接到所述第一区并容性耦合到所述第一浮栅的第一栅电极；和电连接到所述第二区并容性耦合到所述第二浮栅的第二栅电极。