[发明专利]硅化物存在比率的测量方法、热处理温度的测量方法、半导体装置的制造方法以及X射线受光元件无效
| 申请号： | 200410001447.7 | 申请日： | 2004-01-08 |
| 公开（公告）号： | CN1517703A | 公开（公告）日： | 2004-08-04 |
| 发明（设计）人： | 皷谷昭彦;奥野泰利 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | G01N23/223 | 分类号： | G01N23/223 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及硅化物存在比率的测量方法，热处理温度的测量方法，半导体装置的制造方法以及X射线受光元件。准备在硅基板(101)上，按以下顺序设置硅氧化膜(102)、聚酯硅层(103)及钛硅化物层(104)的测量用基板(100)。用X射线照射该测量用基板(100)，根据由硅氧化膜(102)的氧放射的硬性X射线的强度，和由钛硅化物层(104)的钛放射的硬性X射线的强度，测量钛硅化物层(104)中的化合比互不相同的3种硅化物的存在比率。提供能简单而且精确地测量化合比互不相同的多种硅化物的存在比率的测量方法。 | ||
| 搜索关键词： | 硅化物 存在 比率 测量方法 热处理 温度 半导体 装置 制造 方法 以及 射线 元件 | ||
【主权项】：
1.一种硅化物存在比率的测量方法，包括：准备具有：在至少表面具有硅层的基板的该硅层表面所形成的硅氧化膜或硅氮化膜、在该硅氧化膜或硅氮化膜上所形成的聚脂硅层或非晶硅层、以及形成在该聚脂硅层或该非晶硅层上并由金属与硅的化合比互不相同的多种硅化物构成的硅化物层，的测量用基板的步骤；用X射线照射所述测量用基板的步骤；分别测量经过所述X射线照射后而由所述硅氧化膜中的氧或所述硅氮化膜中的氮放射出来的硬性X射线的强度，和经过所述X射线照射后而由所述硅化物层中的所述金属放射出来的硬性X射线的强度的步骤；以及根据2个所述硬性X射线的强度，换算所述硅化物层中的所述多种硅化物的存在比的步骤。
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